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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
Characterization of ESD Stress Effects on SiC MOSFETs Using Photon Emission Spectral Signatures
BSO - Titre
Characterization of ESD stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures
Identifiant WoS
WOS:000403422200105
Accès ouvert
OA - Non
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Non OA
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

ANNUAL RELIABILITY AND MAINTAINABILITY SYMPOSIUM

ISSN
0149-144X
Type de document
  • Meeting Abstract
Notoriété
0 - Sans notoriété
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INP - Institut de physique
uid:/Z5MNCV1W
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